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PN8275原边反馈ac/dc控制芯片
liwei2018 | 2019-03-22 15:51:44    阅读:74   发布文章

PN8275准谐振直流转换芯片是一款符合6级能效标准的次级反馈,内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输入欠/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能,骊微电子代理的PN8275专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源

PN8275.jpg 

1. 启动在启动阶段,内部高压启动管提供1.5mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到VDDon,芯片开始工作;高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后,变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。

2. 软启动启动阶段,CS脚内部的最大峰值电流电压限制逐步的提高;这样可以大大减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典型值为8.0ms

3. 振荡器PN8275 PWM 模式振荡频率固定, 当IDMG>330uA时,系统处于高输入电压段,此时工作频率为65kHz,当IDMG<330uA时,系统处于低输入电压段,此时工作频率为85kHzPN8275通过提高低输入压时的工作频率,可降低对变压器的要求。

4. 降频工作模式PN8275提供降频工作模式,通过检测FB脚电压,在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于VFB_PFM,芯片进入降频工作模式,开关频率随负载降低而降低,直至最小频率Fosc_BM

5.谷底开通PN8275根据开关管波形计算励磁电感与寄生电容振荡周期,在DCM模式下实现精确谷底开通,提高转换效率。

6. 间歇工作模式极轻载时,PN8275 进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻,反馈电压减小;当FB 脚电压小于VFB_BM_L(典型1.15V),芯片进入间歇工作模式,功率管关断。当FB 脚超过VFB_BM_H 时,开关管再次导通。

7. 输入欠压保护:骊微电子代理PN8275内部集成了输入电压检测模块实现Brown-Out功能。当HV电压小于V_BNO,输出GATE处于关闭态,VDD电压在VDDonVDDoff间来回重启;直至VDD启动后,检测到HV电压大于V_BNIVDD>V_BIGATE开启驱动信号输出。

8. 输入过压保护PN8275P内部集成了输入电压检测模块实现AC Line OVP功能。当HV电压大于V_OVP,输出GATE处于关闭态;当输入交流电压减小,PN8275P检测到HV电压小于V_OVP-V_OVP_hysGATE开启驱动信号输出。

9. 输出驱动PN8275采用优化的图腾柱结构驱动技术,通过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较好的EMI特性和较低损耗。

10. 过载保护负载电流超过预设定值时,系统会进入过载保护。在异常情况下,当VFB电压超过Vth_OLP,经过Td_OLP的延迟时间,PN8275认为系统处于过载模式,PWM开关停止,VDD进入反复重启。

11. X 电容放电PN8275同时提供了输入下电检测功能,当输入断电,PN8275会提供HV脚到GND的下拉电流,使X电容的电荷泄放到地, 此功能已经通过IEC62368-1:2014认证。

12. 斜坡补偿PN8275采用峰值电流控制,内置斜坡补偿功能,通过将电压锯齿信号叠加在采样电流信号上,以改善系统闭环稳定性。

13. 线电压补偿PN8275通过DMG引脚上偏电阻检测输入电压,从而产生线补偿电流ILC CS引脚,其中ILC=K*IDMGK=0.375为采样DMG引脚电流的比例系数。线补偿电流ILC通过偏置连接在CS引脚与CS检测电阻Rcs间的电阻产生补偿电压,补偿量的大小由电阻阻值3决定。

14. 过温保护:骊微电子代理PN8275同时提供片上和片外的过温保护。当芯片温度超过145℃,芯片进入过温保护状态。同时PN8275可以通过外部NTC电阻检测系统板的热点是否超过设定值,当检测到CS电压大于V_CSOTP持续Td_CSOTP则触发保护。

 


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