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内置mos同步整流芯片方案
liwei2018 | 2019-07-23 13:46:46    阅读:81   发布文章

PN8306M/H同步整流电源芯片PN8370PN8386配合使用,轻松实现5V2A5V2.4A5V3.4A六级能效电源方案。

 同步整流技术.jpg

PN8306M 5v同步整流降压芯片特性

1适用于DCM/QR工作模式的反激变换器,效率提高3%以上;

2内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET,典型应用5V2.4A/3.4A/3Smart控制算法实现零直通炸机风险;

4VIN耐压高达24V,抗冲击能力强;

5内置高压供电模块,同步控制不受输出电压波动影响,更可靠;

6高精度次级电流检测,同步整流关断点精准,提高转换效率,避免倒灌电流;

7超强HBM ESD设计, VINVDET无需外串电阻,可满足15kV空气/8kV接触ESD标准;

8最小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计,避免同步整流干扰PSR采样;

9ESOP8裸铜散热封装,温升更低;

10VIN欠压保护/过压钳位。

 PN8370+PN8306.jpg

PN8370M+PN8306M 内置mos同步整流芯片六级能效方案亮点 :  

外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。

高可靠性:a.方案三道防线,实现SRPSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kVlatchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kVc.PSRSR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。

低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。

PN8370 DEMO.jpg 

PN8306内置mos同步整流芯片因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,广泛于5V2A5V2.4A5V3.4A六级能效电源方案。

 

 


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