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SD8666QS内置MOS 多协议旅充快充方案
liwei2018 | 2019-08-29 10:11:25    阅读:82   发布文章

12v3a多协议旅充快充全套解决方案,包括原边PWM控制芯片SDH8666Q,同步整流控制芯片SD8510和协议芯片SD8605SDH8666Q采用EHSOP5贴片封装,内置高压启动功能和高压Super Junction MOS12v3a多协议旅充快充全套解决方案支持30W快充应用,SD8605在上一代协议IC SD8602Q基础上内置了负载隔离管,提高了系统集成度,降低了外围器件数量该方案支持PD/QC/FCP/SCP等多协议。

EHSOP5.jpg 

SDH8666Q产品特点:

SSR架构芯片,工作于CCM/DCM/QR模式

● 内置高压启动,待机功耗<40mW

● 内置650V高压DPMOS

● 改善的抖频方式,有效降低EMI

VCC HOLD功能,防止轻载或动态切换时芯片欠压重启

Brown in/out,输出二极管短路保护等完善的保护功能

EHSOP5贴片封装

 SDH8666Q电路图.jpg

SDH8666Q系列产品EHSOP5优势突出:

1、产品采用自有EHSOP5贴片封装,更适于自动化生产;

2、封装厚度仅为1.6mm,是TO252封装的2/3,对外壳温升影响更小;

3Rthja60/W,与TO252相当,而Rthjc仅为1.05/W,是TO252封装的1/2,更有利于散热。

 12V3A旅充方案.jpg

SDH8666Q系列内置大功率MOSFETSSR反激电源管理芯片,是新一代SSR反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等


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